NAND闪存将进入200+时代，厂商竞争愈发激烈

2022-2-16 09:29| 发布者: admin| 查看: 4174| 评论: 0|原作者: 许子皓|来自: 中国电子报

摘要: 本报讯记者许子皓报道：近期，有消息称，三星电子将在2022年年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在2023年上半年开始量产。三星现已实现单堆栈技术下的128层NAND闪存，此后决定将双堆栈技术整合到其176层3D ...

本报讯记者许子皓报道：近期，有消息称，三星电子将在2022年年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在2023年上半年开始量产。三星现已实现单堆栈技术下的128层NAND闪存，此后决定将双堆栈技术整合到其176层3D NAND制造工艺中，作为200层以上NAND产品研发时的过渡，计划在2022年第一季度量产。预计三星第一款200层以上NAND闪存的层数将达到224层。

不只是三星，美光、SK海力士、西部数据、铠侠都在积极研发200+层NAND闪存，竞争愈发激烈，预计200+层NAND闪存时代即将到来。赛迪顾问集成电路产业研究中心高级分析师杨俊刚向《中国电子报》记者表示，从目前各大闪存存储厂商的技术研发来看，早在2022年1月，美光就成为业内最先推出176层NAND闪存的厂商，西部数据和铠侠也官宣了第六代162层3D NAND技术，三星也将紧随其后，将在今年第一季度推出。各大厂商也都在200+层NAND闪存领域发力，从目前的研发进度来看，三星和美光在多层数堆叠存储器方面的技术基础较为领先，但三星为追求技术的领先性，以及提前抢占市场份额，争取最早在市场上推出200+层闪存产品，更有可能率先推出200+层NAND闪存产品。

杨俊刚表示，随着NAND闪存的层数越来越多，所遇到的难度也越来越大，在保证产品性能提升，存储量变大的情况下，要保证随着钻孔加深时钻孔的精确度，避免出现钻孔导致位置偏移带来的影响，厂商将尽量在增加层数的同时，减少每层的厚度，以便总体产品的厚度增加较小，以减少钻孔出现的难度。200+闪存产品的量产将增加存储容量，有利于下游应用产品容量升级。