| 11月3日，国家科学技术奖励大会在北京举行。由华中科技大学、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、江苏长电科技股份有限公司、通富微电子股份有限公司、华天科技（昆山）电子有限公司、苏州旭创科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、香港应用科技研究院有限公司、武汉大学合作完成的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”，荣获国家科学技术进步奖一等奖。随着后摩尔时代来临，先进封装正在成为半导体产品性能提升的必由之路，也成为推动国内集成电路产业集聚发展的重要动力。 半导体性能提升的关键力量 曾经，传统封测在半导体产业链中并不是很起眼的环节。先进封装的出现，让业界看到了通过电子封装推动芯片高密度集成、性能提升、体积微型化和成本下降的巨大潜力。随着摩尔定律步伐放缓，电子封装进一步成为推动半导体发展的关键力量之一。 “到了后摩尔时代，我们已经不再单纯以线宽线距和集成度的尺寸论英雄，而是更多地考虑如何提升系统的性能以及如何在整个微系统上提升集成度。为寻求提升集成电路产品系统集成、高速、高频、三维、超细节距互连等特征，封装的作用愈发凸显。先进封装已经成为超越摩尔的关键赛道，集成电路的成品制造环节的创新能力和价值越来越强。” 长电科技首席执行长郑力向《中国电子报》表示。 先进封装在诞生之初以WLP（晶片级封装）为主，后期进一步向三维发展。目前主流的先进封装包括凸块、SiP（系统级封装）、WL-CSP（晶圆级封装）、FOWLP（扇出封装）、FC（倒装）、eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列）、PiP（堆叠组装）、PoP（堆叠封装）等，2.5D封装和3D封装技术也逐步成熟并进入商用。
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